近日，宁波前湾新区数字经济产业园企业晶曜盛巳（宁波）半导体有限公司依托自主研发核心技术，在第四代半导体氮化铝（AlN）单晶生长领域取得里程碑式突破，成功制备出2英寸高品质氮化铝单晶，产品质量达国际先进水平，实现从技术攻关到稳定量产的关键跨越。

氮化铝单晶是第四代半导体的核心衬底材料，具有高热导率、超宽禁带、耐高温等优异性能，广泛应用于航天高温电子、深紫外光电子、先进功率器件、新能源汽车等关键领域。然而，由于制备工艺极为复杂，高品质氮化铝单晶长期被国外少数企业垄断，国内能够实现稳定量产的企业屈指可数。